Radiation Effects in GaAs FET Devices / Радиационные эффекты в устройствах с полевыми транзисторами на арсениде галлия
Тексты / Научно-техническая литература
Статья из журнала IEEE vol.77 №3 1989
Оглавление:
| Название | Статус | Активность | Готово | |
|---|---|---|---|---|
| 1 Введение | переводится | > 1 года | 12.5% (1 / 8) | читать |
Перевод
- Перевод:
- текст с английского на русский
- Создан:
- 24 декабря 2013, владелец: craig
- Скачали:
- 8 чел.
- Права доступа:
-
войти все видеть чужие версии все скачивать результат все оценивать перевод все комментировать перевод все переводить все читать блог все комментировать блог все писать в блог все анонсировать модераторы редактировать оригинал модераторы редактировать описание никто управлять группой модераторы Участие в группе нет группы - Готово:
-
12.50% КП = 1.0
