Radiation Effects in GaAs FET Devices / Радиационные эффекты в устройствах с полевыми транзисторами на арсениде галлия

Тексты / Научно-техническая литература

Статья из журнала IEEE vol.77 №3 1989

Оглавление:

Название Статус Активность Готово
1 Введение переводится > 1 года 12.5% (1 / 8) читать
Перевод
Перевод:
текст с английского на русский
Создан:
24 декабря 2013, владелец: craig
Скачали:
8 чел.
Права доступа:
войти все
видеть чужие версии все
скачивать результат все
оценивать перевод все
комментировать перевод все
переводить все
читать блог все
комментировать блог все
писать в блог все
анонсировать модераторы
редактировать оригинал модераторы
редактировать описание никто
управлять группой модераторы
Участие в группе нет группы
Готово:
12.50% КП = 1.0