Radiation Effects in GaAs FET Devices / Радиационные эффекты в устройствах с полевыми транзисторами на арсениде галлия: 1 Введение

Предметом радиационных эффектов в полупроводниковых полупроводниковых разработчика: CES является сложным [1], так как несколько типов излучения, радиационное повреждение, полупроводниковых приборов должны быть рассмотрены. Электронные схемы страдают от нейтронов электронов, протонов, гамма-лучей, космических лучей и электронов. Эти типы излучения вызывают три основных эффекта: смещение атомов из узлов решетки, ионизации атомов и внутренних изменений энергии, которые связаны с температурными экскурсий и связанных с характерным теплопроводности и времени ударной распространения в ответной риала.

alegzey 24.12.13 в 15:43