Integrated Microelectronic Devices / Встраиваемые микроэлектронные устройства: 3

Оглавление

Сбросить всё

←

→

Английский оригинал	Перевод на русский
Сожалеем, но текст оригинала доступен только зарегистрированным пользователям.
	Лекция 3 – Статистика носителей в равновесии Tvord 27.02.16 в 07:54 0

	9 февраля 2007г. Tvord 27.02.16 в 07:54 0
	Содержание: Tvord 27.02.16 в 07:54 0
	1. Концентрация равновесных электронов Tvord 27.02.16 в 07:55 0
	2. Концентрация равновесных дыр; Tvord 27.02.16 в 07:55 0
	3. np результат в равновесии Tvord 27.02.16 в 07:55 0
	4. Положение уровня Ферми. Tvord 27.02.16 в 07:56 0



	Основные вопросы Tvord 27.02.16 в 07:57 0
	• Сколько электронов и дыр находятся в термальном равновесии в заданном полупроводнике? Tvord 27.02.16 в 07:57 0
	• Как выглядит распределение равновесных электронов (или дыр) в зоне проводимости (валентности)? Tvord 27.02.16 в 07:57 0
	• Как можно рассчитать ni? Tvord 27.02.16 в 07:58 0
	• Где находится уровень Ферми в заданном полупроводнике? Как его положение влияет на уровень легирования? Tvord 27.02.16 в 07:58 0

	Статистика носителей в равновесии Tvord 27.02.16 в 07:58 0
	Вопрос: сколько электронов и дыр находятся в TE (термальное равновесие) в заданном полупроводнике? Tvord 27.02.16 в 07:59 0
	Ответ: вид строгой модели использования энергии полупроводников и общее представление уровня Ферми. Tvord 27.02.16 в 07:59 0
	Порядок ответа на вопрос: Tvord 27.02.16 в 08:00 0
	1. Вывести связи между no и EF Tvord 27.02.16 в 08:01 0
	2. Вывести связи между po и EF Tvord 27.02.16 в 08:01 0
	3. Вывести выражения для nopo и ni Tvord 27.02.16 в 08:01 0
	4. Найти положение EF из дополнительных переменных (таких как нейтральность зарядов) Tvord 27.02.16 в 08:02 0

	1. Концентрация равновесных электронов; Tvord 27.02.16 в 08:02 0
	• Вопрос: Сколько электронов находятся в полупроводнике в TE? Tvord 27.02.16 в 08:03 0
	Ответ: Зависит от положения EF Tvord 27.02.16 в 08:03 0
	• Почему? Tvord 27.02.16 в 08:03 0
	Потому, что EF определяет вероятность того, что состояния заняты электронами. Tvord 27.02.16 в 08:03 0
	• Чем ближе EF к краю зоны проводимости, тем больше электронов находится в зоне проводимости. Tvord 27.02.16 в 08:04 0
	[pic3.1] Tvord 27.02.16 в 08:04 0
	• Если EF находится недостаточно близко к краю зоны проводимости, какова связь между положениями E и n? Tvord 27.02.16 в 08:06 0
	[pic3.2] Tvord 27.02.16 в 08:06 0
	Поскольку высокая энергия на конце распределения Ферми-Дирака - в виде экспоненциальной функции с kT в качестве характеристики энергии. Tvord 27.02.16 в 08:09 0

	Формально, не полученные добавлением концентрации электронов в зону проводимости: Tvord 27.02.16 в 11:29 0
	[pic3.3] Tvord 27.02.16 в 11:29 0
	При определенном уровне энергии, no(E) получен из плотности CB в состояниях и вероятности захвата: Tvord 27.02.16 в 11:32 0
	[pic3.4] Tvord 27.02.16 в 11:33 0
	Тогда: Tvord 27.02.16 в 11:33 0
	[pic3.5] Tvord 27.02.16 в 11:33 0
	Соотнесем распределение энергии к Ec и проведем нормализацию к kT. Таким образом: Tvord 27.02.16 в 11:35 0
	[pic3.6] Tvord 27.02.16 в 11:36 0
	Тогда: Tvord 27.02.16 в 11:36 0
	[pic3.7] Tvord 27.02.16 в 11:36 0

	Определим также: Tvord 27.02.16 в 11:37 0

Следующая страница →